金融界2024年2月23日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“具有功函数金属的半导体器件“，授权公告号CN108447863B，申请日期为2016年1月。

　　专利摘要显示，提供了具有功函数金属的半导体器件。所述半导体器件包括：基底，具有逻辑区域；活性区，位于逻辑区域中；绝缘层，布置在基底上并且被构造为覆盖活性区；以及栅电极，被构造为覆盖活性区的侧表面并且与活性区交叉，所述栅电极包括位于活性区中的P功函数金属层、位于P功函数金属层上的N功函数金属层以及位于N功函数金属层上的阻挡金属层。

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